Samsung lisää EUV-kerroksia viiteen DDR5: llä

Samsung on alkanut massaa tuottaen 14nm DRAM-painiketta EUV-teknologialla.

Ensimmäisen EUV DRAM: n lähetyksen jälkeen Samsung on lisännyt EUV-kerrosten määrää viiteen toimittamaan nykypäivän DDR5-laitteita.

Koska DRAM jatkaa 10NM-alueen laajuutta, EuV-tekniikka muuttuu yhä tärkeämmäksi parantamaan kuvioiden tarkkuutta korkeamman suorituskyvyn ja suuremman saannon.

Soveltamalla viisi EUV-kerrosta 14NM DRAM: lle Samsung on saavuttanut korkeimman bittiheyden samalla kun parannetaan yleistä kiekkoa tuottavuutta noin 20 prosentilla.

Lisäksi 14nm prosessi voi auttaa alas virrankulutusta lähes 20% edelliseen sukupolven DRAM-solmuun verrattuna.

Viimeisimmän DDR5-standardin hyödyntäminen Samsungin 14nm DRAM tarjoaa nopeuksia jopa 7,2 Gbps, mikä on enemmän kuin kaksi kertaa DDR4-nopeus jopa 3,2 Gbps.

Samsung aikoo laajentaa 14nm DDR5-salkkua tukemaan datakeskuksen, supertietokoneiden ja yrityspalvelimen sovellusten. Myös Samsung odottaa kasvavan 14 nm DRAM-sirun tiheyttä 24 Gt.