| Valmistajan osanumero : | GP2M005A060FG |
|---|---|
| RoHs-tila : | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Valmistaja / merkki : | Global Power Technologies Group |
| Varaston kunto : | Varastossa |
| Kuvaus : | MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F |
| Lähetys : | Hong Kong |
| lomakkeissa : | GP2M005A060FG.pdf |
| Lähetysreitti : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Osanumero | GP2M005A060FG |
|---|---|
| Valmistaja | SemiQ |
| Kuvaus | MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
| Saatavana oleva määrä | Varastossa |
| lomakkeissa | GP2M005A060FG.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package | TO-220F |
| Sarja | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V |
| Tehonkulutus (Max) | 32.8W (Tc) |
| Pakkaus | Tube |
| Pakkaus / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Muut nimet | 1560-1200-1 1560-1200-1-ND 1560-1200-5 |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 658pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| FET tyyppi | N-Channel |
| FET Ominaisuus | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 600V |
| Yksityiskohtainen kuvaus | N-Channel 600V 4.2A (Tc) 32.8W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Tc) |
GP2M005A050PGMOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
GP2M005A060HGMOSFET N-CH 600V 4.2A TO220GP2M005A050HGMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220GP2M005A060PGMOSFET N-CH 600V 4.2A IPAKGP2M007A065HGMOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
GP2M005A050FGMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
GP2M005A050CGMOSFET N-CH 500V 4.5A DPAKGP2M005A060CGMOSFET N-CH 600V 4.2A DPAKGP2M007A080FMOSFET N-CH 800V 7A TO220FGP2M005A060PGHMOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK